SanDisk анонсировала твердотельный накопитель объемом 256 ТБ.

      Компания SanDisk объявила о выпуске твердотельного накопителя UltraQLC SN670 объемом 256 ТБ, созданного для решения ресурсоемких задач в области искусственного интеллекта. Этот продукт, представленный на конференции Flash Memory Summit 2025, станет доступен в продаже в первой половине 2026 года.

      Накопитель использует 218-слойную 3D NAND-память BiCS с технологией CBA (CMOS directly Bonded to) и кристаллами по 2 ТБ. Интерфейс PCIe Gen5 NVMe обеспечивает высокую пропускную способность, что позволяет эффективно работать с большими данными, подготовкой дата-сетов и AI-хранилищами. По словам SanDisk, емкость SN670 превышает аналогичный продукт Kioxia LC9 (245,76 ТБ) более чем на 10 ТБ.

      В SN670 применяется специализированный контроллер и ряд оптимизаций, в том числе технология Direct Write QLC, которая обеспечивает защиту данных при отключении питания уже на первом этапе записи. В отличие от многих конкурентов, здесь отсутствует кэш на основе одноуровневых ячеек (SLC), что может затруднить скорость, однако разработчики утверждают о динамическом масштабировании частоты, повышающем производительность на 10% при установленном уровне энергопотребления.

      Одной из основных новинок стала система прогнозирования сохранности данных, которая уменьшает необходимость в перезаписи информации на 33%. Это не только повышает надежность накопителя, но и снижает энергозатраты. Майк Джеймс, старший директор по архитектуре корпоративных SSD в SanDisk, отметил, что при таких объемах традиционные методы обслуживания NAND-памяти становятся неэффективными. Компания разработала новые алгоритмы, которые минимизируют фоновую загрузку и увеличивают срок службы устройства.

      Первые образцы SN670 в форм-факторе U.2 (2,5 дюйма) будут доступны тестовым клиентам уже в ближайшие недели, а массовые поставки начнутся в 2026 году. Позже планируется представить и другие варианты исполнения. В своем блоге SanDisk также намекнула на возможность создания SSD объемом до 1 ПБ в будущем.

      Точные характеристики скорости чтения и записи, а также ресурс накопителя пока не раскрываются, возможно, из-за продолжающейся доработки контроллера. Однако, согласно презентациям февраля 2025 года, SN670 показывает значительное увеличение производительности по сравнению с аналогами: скорость случайного чтения возросла на 68%, записи — на 55%, а также улучшены характеристики последовательных операций. Первоначально анонсированные сроки выпуска (третий квартал 2025 года) были перенесены, вероятно, из-за удвоения максимальной емкости и дополнительных испытаний.

      Ранее, в мае 2025 года, генеральный директор SanDisk Дэвид Геклер упоминал о новых QLC-чипах на 2 ТБ и контроллере Stargate, который будет использоваться в накопителях с поддержкой PCIe Gen6. Это позволяет предположить, что SN670 станет одним из самых быстрых решений в своём классе, обгоняя не только устройства на PCIe Gen4, но и конкурирующие Gen5-устройства от Solidigm и Phison.

      Естественно, накопитель с такой рекордной емкостью вызывает интерес среди ученых, исследователей и предпринимателей. Однако полная оценка его возможностей станет возможной лишь после публикации всех технических характеристик и проведения независимого тестирования.